固態技術協會(JEDEC)正式公布下一代低功耗DDR記憶體標準LPDDR6。相關標準規範文件的編號為JESD209-6。該標準將大幅提升記憶體的速度和能源效率,適用於包括行動設備和人工智慧在內的各種用途。有興趣下載完整技術文件的讀者,可以到JEDEC官網下載。
JEDEC董事會主席Mian Quddus,JEDEC很高興推出LPDDR6,這是JC-42.6低功耗記憶體小組成員多年努力的結晶。LPDDR6在能源效率、可靠的安全性和性能之間取得了平衡,是下一代行動設備、人工智慧及相關應用的理想選擇。
性能提升
為支援AI應用和其他高性能工作負載,LPDDR6採用了雙子通道架構,這使其能夠靈活運行,同時保持32位元組的小存取粒度。此外,LPDDR6的主要特點包括:
– 每個裸晶(Die)有2個子通道,每個子通道有12條資料訊號線(DQs),以最佳化通道性能能力。
– 每個子通道包含4個指令/地址(CA)信號,經過最佳化以減少錫球數並提高資料訪問速度。
– 透過靜態效率模式支援更高容量的記憶體配置,並最大化Bank的資源的利用率。
– 靈活的資料存取,即時突發長度控制以支援32B及64B訪問
– 支援動態寫入NT-ODT(Non-target on-die Termination),使記憶體能夠根據工作負載需求調整ODT,從而改善訊號完整性。
能源效率
為滿足越來越嚴格的能源效率需求,與LPDDR5相比,LPDDR6將以更低的電壓和低功耗的VDD2供電,並強制要求晶片必須有兩個VDD2。其他節能特性包括:
– 支援交替時脈命令輸入,以提高性能和效率。
– 透過動態電壓頻率縮放(DVFSL)功能,讓LPDDR6在低速運行時,可進一步降低VDD2供電,以減少功耗。
– 動態效率模式使用單一子通道介面,適用於低功耗、低頻寬的使用情境。
– 支援部分自主自我更新和主動刷新,以減少刷新功耗消耗。
安全性與可靠性
安全性和可靠性的改進相較於之前版本的標準包括:
– 每行啟用計數(PRAC)以確保DRAM的資料完整性。
– Carve-out Meta模式被定義為通過為關鍵任務分配特定的記憶體區域,以提高整體系統的可靠性。
– 支援可編程鏈路保護方案及錯誤校正碼(ECC)。
– 能夠支援命令/地址(CA)奇偶校驗、錯誤清除和內建自我測試(MBIST),以增強錯誤檢測和系統可靠性。
記憶體三巨頭力挺LPDDR6
三星(Samsung)記憶體產品規劃團隊副總裁暨負責人Jangseok Choi表示,三星相信LPDDR6 JEDEC標準的建立,將在加速下一代LPDDR產品方面,發揮關鍵作用。我們很榮幸能通過JEDEC與業界合作,並衷心感謝有機會為這一重要里程碑做出貢獻。作為技術領導者,Samsung致力於提供符合JEDEC規範的產品,為客戶提供最佳化解決方案,以應對不斷變化的行動市場需求,包括設備內的人工智慧。
SK海力士(SK hynix)DRAM產品規劃與實現部門負責人Sangkwon Lee則指出,LPDDR6在帶寬和功耗效率上帶來了顯著的改進,同時增強了可靠性功能,以滿足下一代行動、汽車和AI驅動應用日益增長的需求。LPDDR6標準是高性能、低功耗的DRAM解決方案的重要一步,並能在更廣泛的使用案例中,實現更高的可靠性。我們將繼續與產業合作夥伴密切合作,推進記憶體創新。
美光(Micron)行動與客戶端業務部門副總裁暨總經理Mark Montierth認為,記憶體性能對促進智慧手機和邊緣運算的發展至為關鍵。美光很榮幸能與業界領導者共同合作開發LPDDR6,定義了一個顯著提高系統性能,同時降低功耗的技術標準。